SM-4205 在半导体光刻工艺中的应用

1)通过在rinse中加入表面活性剂降低rinse的表面张力,同时在resist表面形成一层低表面能的保护膜,防止pattern的塌陷现象

2)适用于45nm至22nm工艺

3) 可以获得更高的图形高宽比(aspect ratio)

4) 改善图形的侧墙边缘粗糙度(line edge roughness)